Transistor MOSFET


Es una variante del transistor de JFET que lo mejora para ciertas aplicaciones y facilita el proceso de fabricación implementado en circuitos integrados de gran densidad. Funciona de un modo similar, permitiendo el paso, o no paso, de corriente entre sus terminales Source (Fuente) y Drain (Drenador) mediante la aplicación de voltaje en su terminal Gate (Puerta). Su nombre proviene del acrónimo inglés Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. La corriente de puerta (Gate) requerida para cambiar su estado de funcionamiento es aún menor que en los transistores JFET ya tiene este terminal aislado del canal de conducción, por lo que a veces se les denomina IGFET (Insulated-Gate FET, FET de puerta aislada)

 

Actualmente es el tipo de transistor universalmente empleado en circuitos integrados digitales debido a su bajo consumo y reducido tamaño. Así, por ejemplo un Procesador Intel® Core™ i3-380UM contiene en su interior 382 millones de transistores de este tipo.


Componentes y Símbolos Electrónicos
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