Transistor JFET


También denominado Transistor de Efecto de Campo. Su nombre proviene del acrónimo inglés Junction Field Effect Transistor. La principal característica de este tipo de transistores es que prácticamente no requieren de corriente de entrada en su terminal de control. Permite el paso, o no, de corriente entre sus terminales Source (Fuente) y Drain (Drenador) mediante la aplicación de voltaje en su terminal Gate (Puerta). Al no necesitar corrientes de polarización, como ocurre con los transistores bipolares, se puede reducir el número de componentes externos necesarios para hacerlo funcionar. Consiguen velocidades de conmutación (tiempo de paso de conducción a no conducción y viceversa) mayores que los transistores bipolares, por lo que se usan preferentemente en Electrónica Digital.

Como curiosidad, comentar que fue el primer tipo de transistor ideado en el año 1925, pero imposible de llevar a la práctica con los medios técnicos de los que se contaba en aquella época. En 1947, durante los ensayos fallidos para su construcción, dio lugar al primer transistor funcional de la historia, que fue de tipo bipolar, la primera tecnología de transistores que se pudo comercializar. Hasta 1952 no se construyó en laboratorio el primero transistor de Efecto de Campo (JFET).

En el símbolo, el terminal Gate puede estar desplazado o en el centro. Se usa de manera indistinta sin que signifique ningún tipo de JFET especial o variación en el transistor.


Componentes y Símbolos Electrónicos
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