También conocido como Transistor Bipolar de Puerta Aislada. Su nombre proviene del acrónimo inglés Isolator Gate Bipolar Transistor. Se trata de un dispositivo semiconductor diseñado para controlar grandes potencias eléctricas.
Tanto por su proceso de fabricación como por su uso, lo podríamos considerar como un híbrido entre las tecnologías de los transistores BJT y MOSFET. El circuito de excitación del IGBT es como el de un MOSFET, mientras que sus características de conducción son como las de un BJT. De hecho, se pueden ver representados en esquemas como BJTs o MOSFETs especiales:
Existen en el mercado transistores IGBT que soportan hasta 600 Amperios, pueden trabajar con tensiones superiores a los 3.000 voltios y a temperaturas por encima de los 150 ºC.
Dada su capacidad, se suelen emplear en dispositivos convertidores de potencia eléctrica, como Variadores de Frecuencia, automoción y sistemas de transporte eléctricos, ascensores, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida (SAI/UPS), electrodomésticos, etc.
Componentes y Símbolos Electrónicos
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